半導體晶圓

  晶圓是圓柱狀半導體晶體的薄切片,經常作為載體積片來使用。通常會使用沉積、摻雜、蝕刻、光刻和其他技術來逐層製造裝置。

  晶圓廠生產佈線晶片的每個步驟都會精確測量,以最大限度地提高產量。晶圓最終會被切割成單獨的電路,這些電路被應用於電子、太陽能電池板、感測器等其他產品。

  晶圓是由普通矽砂拉製提煉,經過溶解、提純、蒸餾一系列措施製成單晶矽棒,單晶矽棒經過切片、拋光之後,就得到了單晶矽圓片,尺寸通常為直徑 100-450 毫米,厚度為 200-300 微米。

  作為積體電路製程中的載體基片,晶圓對材料純度、整體平坦度和表面粗糙度有很嚴格的要求。

  4D 的 AccuFiz Fizeau 干涉儀可測量直徑 300 毫米晶圓的平整度。雷射光束擴束器可測量直徑 450 毫米晶圓的平整度。AccuFiz D 則可測量晶圓的厚度和波長(包含1.55微米)的變化。至與NanoCam HD 表面輪廓儀,可以測量拋光晶圓的表面粗糙度和佈線晶片的特徵。 

SEMICONDUCTOR WAFERS-2

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