晶圓是圓柱狀半導體晶體的薄切片，經常作為載體積片來使用。通常會使用沉積、摻雜、蝕刻、光刻和其他技術來逐層製造裝置。晶圓是由普通矽砂拉製提煉，經過溶解、提純、蒸餾一系列措施製成單晶矽棒，單晶矽棒經過切片、拋光之後，就得到了單晶矽圓片，尺寸通常為直徑 100-450 毫米，厚度為 200-300 微米。

晶圓廠在生產佈線晶片時會對每個步驟進行精確測量，以最大限度地提高產量。晶圓最終會被切割成單獨的電路，這些電路被應用於電子、太陽能電池板、感測器等其他產品。作為積體電路製程中的載體基片，晶圓對材料純度、整體平坦度和表面粗糙度有很嚴格的要求。

4D 的 AccuFiz 斐索干涉儀可測量直徑 300 毫米晶圓的平整度。光束擴束器（beam expanders）則可測量直徑 450 毫米晶圓的平整度。AccuFiz D 則可測量晶圓的厚度和波長（包含1.55微米）的變化。而NanoCam HD 表面輪廓儀，可以測量拋光晶圓的表面粗糙度和佈線晶片的特徵。